苏州华维纳纳米科技有限公司
企业简介

苏州华维纳纳米科技有限公司 main business:许可经营项目:无 一般经营项目:研发、销售:纳米光电子设备;纳米技术开发。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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苏州华维纳纳米科技有限公司的工商信息
  • 320594000192038
  • 在业
  • 有限责任公司
  • 2011-04-26
  • 刘前
  • 120.4819万元人民币
  • 2011-04-26 至 2031-04-25
  • 苏州工业园区市场监督管理局
  • 2014-02-07
  • 苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼107室
  • 许可经营项目:无 一般经营项目:研发、销售:纳米光电子设备;纳米技术开发。
苏州华维纳纳米科技有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 苏州华维纳纳米科技有限公司 http://www.huaweina.com/
苏州华维纳纳米科技有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 17250855 HWN 2015-06-19 探测器;高频仪器;测量器械和仪器;精密测量仪器;科学用探测器;理化试验和成分分析用仪器和量器;观测仪器;测量仪器;检验用镜;集成电路 查看详情
2 17171659 华维纳 2015-06-10 探测器;高频仪器;测量器械和仪器;精密测量仪器;科学用探测器;理化试验和成分分析用仪器和量器;观测仪器;测量仪器;检验用镜;集成电路 查看详情
苏州华维纳纳米科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN103789741B 一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法 2016.06.08 本发明揭示了一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法,所述制备方法包括如下步骤:a、选取基底;b、在所
2 CN105425547A 一种在曝光光刻中使用的立体模板及其制备方法 2016.03.23 本发明揭示了一种在曝光光刻中使用的立体模板及其制备方法,其中所述立体模板从下到上依次包括基片、在基片
3 CN105261671A 一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法 2016.01.20 本发明提供一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法,其中所使用的材料为聚苯乙烯/多晶硅复合薄膜。该方法
4 CN104846348A 一种使用激光直写制备微电路的方法 2015.08.19 本发明提供一种使用激光直写制备微电路的方法,其中所使用的材料为无机相变材料GST,GBST,GSST
5 CN104714165A 界面陷阱能级分布的光电导分析方法 2015.06.17 本发明涉及一种界面陷阱能级分布的光电导分析方法,其包括:测量界面IV曲线,并研判该界面是否具有阻变特
6 CN103809376A 一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺 2014.05.21 本发明揭示了一种无机相变光刻胶,所述无机相变光刻胶为锗锑锡碲化合物,其通式为Ge<sub>2</su
7 CN103789741A 一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法 2014.05.14 本发明揭示了一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法,所述制备方法包括如下步骤:a.选取基底;b.在所
8 CN103744266A 一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜 2014.04.23 本发明揭示了一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜,包括基底,所述用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜还包
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