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- 320594000192038
- 在业
- 有限责任公司
- 2011-04-26
- 刘前
- 120.4819万元人民币
- 2011-04-26 至 2031-04-25
- 苏州工业园区市场监督管理局
- 2014-02-07
- 苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼107室
- 许可经营项目:无 一般经营项目:研发、销售:纳米光电子设备;纳米技术开发。
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 苏州华维纳纳米科技有限公司 | http://www.huaweina.com/ |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN103789741B | 一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法 | 2016.06.08 | 本发明揭示了一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法,所述制备方法包括如下步骤:a、选取基底;b、在所 |
2 | CN105425547A | 一种在曝光光刻中使用的立体模板及其制备方法 | 2016.03.23 | 本发明揭示了一种在曝光光刻中使用的立体模板及其制备方法,其中所述立体模板从下到上依次包括基片、在基片 |
3 | CN105261671A | 一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法 | 2016.01.20 | 本发明提供一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法,其中所使用的材料为聚苯乙烯/多晶硅复合薄膜。该方法 |
4 | CN104846348A | 一种使用激光直写制备微电路的方法 | 2015.08.19 | 本发明提供一种使用激光直写制备微电路的方法,其中所使用的材料为无机相变材料GST,GBST,GSST |
5 | CN104714165A | 界面陷阱能级分布的光电导分析方法 | 2015.06.17 | 本发明涉及一种界面陷阱能级分布的光电导分析方法,其包括:测量界面IV曲线,并研判该界面是否具有阻变特 |
6 | CN103809376A | 一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺 | 2014.05.21 | 本发明揭示了一种无机相变光刻胶,所述无机相变光刻胶为锗锑锡碲化合物,其通式为Ge<sub>2</su |
7 | CN103789741A | 一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法 | 2014.05.14 | 本发明揭示了一种基于褶皱的金属表面纳米结构制备方法,所述制备方法包括如下步骤:a.选取基底;b.在所 |
8 | CN103744266A | 一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜 | 2014.04.23 | 本发明揭示了一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜,包括基底,所述用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜还包 |